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Part: DD800S17K6CB2
Category:
Discrete
-> IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)
-> IGBT Modules
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download DD800S17K6CB2 datasheet File size : 216 kB
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
vorläufige daten preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage tp = 1 ms
Tvj = 25°C
VCES
1700
V
IF
800
A
IFRM
1600
A
VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C
2 It
170
kA2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
Durchlaßspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 800A, V GE = 0V, Tvj = 25°C IF = 800A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 1700V, Tvj = 25°C IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 25°C VR = 900V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 25°C VR = 900V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 800A, - diF/dt = 6300A/µsec VR = 900V, T vj = 25°C VR = 900V, T vj = 125°C Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip pro Diode / per Diode LsAC Erec 75 155 20 mWs mWs nH Qr 135 265 µAs µAs IRM 710 860 A A IR VF
typ.
2,1 2,1
max.
2,5 2,5 5 V V mA
pro Zweig / per arm
RCC´+EE´
0,16
mW
prepared by:
A. Wiesenthal
date of publication: 06.11.2001 revision: 1 (preliminary)
approved by: Christoph Lübke; 2001-11-09
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
vorläufige daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Diode / per diode, DC pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthJC
typ.
max.
0,034 K/W
RthCK
0,008
K/W
Tvj
150
°C
Tvjop
-40
125
°C
Tstg
-40
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight terminals M8 min. M1 AlN
15
mm
10
mm
275 5 Nm
M2
8 - 10
Nm
G
1050
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
vorläufige daten preliminary data
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
1600
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
IF = f (VF)
1400
1200
1000
800
IF [A]
600
400
200
0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
vorläufige Daten preliminary data
Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance
0,1
ZthJC = f (t)
ZthJC [K / W]
0,01
Zth:Diode
0,001 0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
i ri [K/kW] : Diode Ji [sec] : Diode
1 15,7 0,0287
2 7,05 0,0705
3 2,24 0,153
4 9,05 0,988
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
DD 800 S 17 K6C B2
Äußere Abmessungen / external dimensions
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