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Part: D475N
Category:
Discrete
-> Diodes & Rectifiers
-> General Purpose Diodes
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download D475N datasheet File size : 136 kB
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Datasheet text preview:
European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG
Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 475 N
70mm² Cu
Type N K
Circuit symbol
Cathode Rope Case
Anode Case Rope
Prot. flex. tubing red bl ue
ø3,2 x 15 SW41 12,5
M24 x 1,5
VW K July 1996
D 475 N
Elektrische Eigenschaften Höchstzulässige Werte Periodische Spitzensperrspannung
Electrical properties Maximum rated values repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t vj max V RRM V RSM = V R R M IFRMSM tc = 100 °C tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms tvj = 25°C, t p = 10 ms tvj = t vj max , tp = 10 ms IFAVM IFSM It
2
3200, 3600 4000
V V V A A kA kA kA 2 s kA 2 s
Stoßspitzensperrspannung Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom Stoßstrom-Grenzwert
non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C... t vj max RMS forward current mean forward current surge forward current
2
+ 100 745 475 12,8 10,9 819 594
Grenzlastintegral
I t-value
Charakteristische Werte Durchlaßspannung Schleusenspannung Ersatzwiderstand Sperrstrom Thermische Eigenschaften Innerer Widerstand
Characteristic values on-state voltage threshold voltage slope resistance reverse current Thermal properties thermal resistance, junction to case = 180° sin DC
ohne Anschlußlasche/without contact lug mit Anschlußlasche/with contact lug
tvj = t vj max , iF = 1,4 kA tvj = t vj max tvj = t vj max tvj = t vj max , V R = V RRM
VT VT(TO) rT iR
max.
1,78 0,765 0,612
V V m mA
max.
40
R thJC R thCK tvj max tc op tstg
max. max. max. max.
0,085 °C/W 0,080 °C/W 0,03 °C/W 0,04 °C/W 160 -40...+160 -40...+160 °C °C °C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink
Höchstzul.Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Anzugsdrehmoment Gewicht Kriechstrecke Feuchteklasse Schwingfestigkeit Maßbild Polarität
max. junction temperature operating temperature storage temperature Mechanical properties Si-pellet with pressure contact tightening torque weight creepage distance humidity classification vibration resistance outline polarity DIN 40040 f = 50 Hz = 34 mm Gehäuseform/case design B
M G
60 590 21
Nm g mm C m/s 2
50 Seite/page
Anode=Gehäuse/case
D 475 N
2,0 1,0 i F [k A] 1,5
i²dt 0,9 (normiert)
0,8 1,0 0,7
0,6 0,5 0,5
0 0
D 475N_1
0,5
1,0
1,5
v F [V]
2,0
2,5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
D475K_4
tp [m s]
Bild/Fig. 1 Grenzdurchlaßkennlinie Limiting forward characteristic iF = f (vF) tvj = 160 °C tvj = 25 °C
Bild / Fig. 2 Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t i²dt = f(tp)
14
IF (0V) M
vR
IF(0V)M 14 IF(0V)M [k A] 12 10
vR
12 IF(0V)M [k A] 10 1a 2a 6
1b 1c
8
8 6 4 2 0
1a 2a 1b
1c
4
2b 2c
2b 2c
2
0 0
D475N_5
0,1
0,2 t [s]
0,3
0
D475N_6
0,1
0,2 t [s]
0,3
Bild / Fig. 3 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 475 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
Bild / Fig. 4 Grenzstrom / Maximum overload forward current IF(0V)M = f(t) 1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C 2 - IFAV(vor) = 475 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C a - vR 50 V b - vR = 0,5 VRRM c - vR = 0,8 VRRM
D 475 N
0,03
104 9
T
8 7 6 5 4
i FM [A]
R thJC
[°C/W ] 0,02
Qr [µAs]
3 2
1600 8 00 400 2 00 1 00
50
T
10 3 9
0,01
8 7 6 5 4
3 2
0 30
D475N_3
T
10
2
60
90
120
150 [°el]
180
0,1
D 475N_7
1
10 -di F /dt [A/µs]
100
Bild / Fig. 5 Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC Difference between the values of thermal resistance for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt) tvj = tvjmax; vR 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6 Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM
0,10
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos. n 1 Rthn °C/W 0,001 n [s] 0,01 2
0,0051 0,004
Z (th)JC [°C/W ]
0,08
3
0,0086 0,0336
4
0,03 0,425
5
0,0353 2,51
6
7
0,06
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJ C =
nmax Rthn(1-EXP(-t/n)) n=1
0,04
0,02
0 10 -3
D 475N_2
10-2
10-1
100
101 t [s]
102
Bild / Fig. 7 Transienter innerer Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC 1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling 2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling 3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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