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Part: D4709N
Category:
Discrete
-> Thyristors
-> SCR (Silicon Controlled Rectifiers)
-> SCR / Diode Presspacks
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download D4709N datasheet File size : 136 kB
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Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 4709 N 20...28
T vj = - 40°C...Tvj max VR R M
N
Vorläufige Daten Preliminary Data 2000 2400 2100 2500 2200 2600 2800 2300 2700 2900 8.400 4.700 5.348 71.000 60.000 25.205 18.000 V V
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge foward current Grenzlastintegral I²t-value T C = 100 °C T C = 87 °C T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms
V
V V V A A A A A A²s*103 A²s*103
T vj = + 25°C...Tvj max
VR S M
IFRMSM IFAVM IFSM I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßkennlinie on-state voltage T vj = Tvj max , T vj = Tvj max , iF = iF =
11,0 kA 4,0 kA
vF vF V( T O ) V(TO) 2 rT rT 2
A= B= C= D=
max. max.
1,65 1,12 0,83 0,68 0,07 0,104
V V V V m m
T vj = Tvj max Low-level iTmax T vj = Tvj max Low-level iTmax
5000 A 5000 A
Tvj = Tvj max
1,403E+00 2,111E-05 -1,405E-01 1,255E-02 iR max. 200 mA
vT = A + B iT + C Ln(iT + 1) + D iT
Sperrstrom reverse current T vj = Tvj max, vR = VRRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case Kühlfläche / cooling surface RthJC beidseitig / two-sided, =180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, =180°sin Kathode / cathode, DC Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthJK max. max. T vj max T c op T stg -40...+160 -40...+150 0,0025 0,0050 160 °C/W °C/W °C °C °C
max. max. max. max. max. max.
0,0080 0,0073 0,0147 0,0136 0,0174 0,0160
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
prepared by: K.-A. Rüther approved by: J. Novotny
data of publication: 00-10-23 revision: 1
BIP AM A26/00 Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 4709 N 20...28
N
Vorläufige Daten Preliminary Data Preliminary Data Seite 3 page 3
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance DIN 40040 f = 50Hz F G
42...95 typ. 1200 36 C 50
kN g mm
m/s²
Kühlkörper/heatsinks : KE01800W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / 00-10-23, K.-A. Rüther A26/00 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 4709 N 20...28
N
BIP AM / 00-10-23, K.-A. Rüther
A26/00
Z. Nr.: 1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor
D 4709 N 20...28
N
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,00003 0,000055
2
0,00039 0,00392
3
0,0012 0,0152
4
0,00262 0,2068
5
0,00306 1,0914
6
7
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [°C/W]
n [s]
Rthn [°C/W]
0,000009 0,00001
0,000371 0,00182
0,0019 0,00951
0,0011 0,135
0,00404 0,347
0,0062 1,54
n [s]
Rthn [°C/W]
0,000032 0,000035
0,000728 0,00341
0,00292 0,0215
0,00781 0,135
0,00451 1,11
n [s]
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=
n max n=1
Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))
BIP AM / 00-10-23, K.-A. Rüther
A26/00
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
D 4709 N 20...28
N
35.000
30.000
T vj = 25 °C
25.000
T vj = Tvj max
20.000 i F [A] 15.000 10.000 5.000
0 0,5 1 1,5 2 VF [V] 2,5 3 3,5
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vT)
BIP AM / 00-05-08, K.-A. Rüther
A10/00
Z. Nr.: 2
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