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Part: D358S
Category:
Discrete
-> Diodes & Rectifiers
-> General Purpose Diodes
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download D358S datasheet File size : 482 kB
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 358 S 06...10
T vj = - 25°C...Tvj max
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge foward current
T C =100°C T C =77°C T vj = 25°C, tp = 10 ms T vj = Tvj max, tp = 10 ms T vj = 25°C, tp = 1 ms T vj = Tvj max, tp = 1 ms
VR R M
600 800 1000 700 900 1100 730 358 465 6300 5200 12880 10630 198450 135200 82950 56500
V V V V V V A A A A A A A A²s A²s A²s A²s
T vj = + 25°C...Tvj max
VR S M
IFRMSM IFAVM IFSM
Grenzlastintegral
T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 1ms
I²t
I²t-value
T vj = Tvj max, tp = 1ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung typical value of forward recovery voltage Durchlaßverzögerungszeit forward recovery time Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Sperrverzögerungszeit reverse recovered time Sanftheit Softness
T vj = Tvj max, iF = 1400 A T vj = Tvj max T vj = Tvj max IEC 747-2 T vj = Tvj max diF/dt=50A/µs, vR=0V IEC 747-2, Methode / method II T vj = Tvj max, iFM=1400A diF/dt=50 A/µs, vR=0V T vj = 25°C, vR=VRRM
vF V( T O ) rT VF R M
max.
2,26 1,05 0,8
V V m V
1)
typ
3,1
tfr
typ
3,8
µs
1)
iR IRM
T vj = Tvj max, vR = VRRM DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =465A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =465 A,-diF/dt=50A/µs vR=100V, vRM<=200 V DIN IEC 747-2, Tvj=Tvj max iFM =465A,-diF/dt=50A/µs vR=100 V; vRM<=200V T vj = Tvj max iFM =A,-diF/dt=A/µs vR<=0,5 VRRM, vRM=0,8 VRRM
max. max.
10 100 52
mA mA A
1)
Qr
90
µAs
1)
trr
1,8
µs
1)
SR
µs/A 2)
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) 2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 09.02.87
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 358 S 06...10
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, =180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, =180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, =180°sin Kathode / cathode, DC
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resitance, junction to case RthJC max. max. max. max. max. max. RthCK max. max. T vj max T c op T stg 0,015 0,030 150 -40...+150 -40...+150 °C/W °C/W °C °C °C 0,079 0,075 0,124 0,12 0,204 0,2 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs- Wärmewiderstand thermal resitance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040 f = 50Hz
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Durchmesser/diameter 21mm
F G typ.
3,2...7,6 60 17 C 5x9,81
kN g mm
m/s²
Kühlkörper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,36S ; KL42
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-M / 09.02.87 Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 358 S 06...10
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 358 S 06...10
S
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,0003 0,000067
2
0,00675 0,00082
3
0,00585 0,00905
4
0,0322 0,0597
5
0,0299 0,497
6
7
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [°C/W]
n [s]
Rthn [°C/W]
0,00044 0,000082
0,00806 0,00107
0,0171 0,0261
0,0295 0,121
0,0649 3,56
n [s]
Rthn [°C/W]
0,0005 0,000086
0,0088 0,00121
0,0215 0,0345
0,0312 0,223
0,138 3,513
n [s]
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
=
n max n=1
Rthn ( 1 - EXP ( - t / n ))
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode Fast Diode
D 358 S 06...10
S
2.000
1.750
1.500
1.250
iF [A]
1.000
750
500
250
0 0,5 1 1,5 vF [V] 2 2,5 3
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic iF=f(vF) Tvj = T vj max
SZ-M / 09.02.87 Seite/page 5
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