|
|
Part: D1331SH
Category:
Discrete
-> Thyristors
-> SCR (Silicon Controlled Rectifiers)
-> SCR / Diode Presspacks
Description:
Company: Eupec GmbH & Co KG
Datasheet: Download D1331SH datasheet File size : 238 kB
Request For quote: Find where to buy D1331SH
Datasheet text preview:
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 1331 SH 45T
SH
Features: · Speziell entwickelt für beschaltungslosen Betrieb · Niedrige Verluste, weiches Ausschalten · Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz · Specially designed for snubberless operation · Low losses, soft recovery · Full blocking capability at 140°C with 50Hz
· Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand · High di/dt and low thermal resistance by durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und using low temperature-connection NTV Mo-Trägerscheibe between silicon wafer and molybdenum · Elektroaktive Passivierung durch a-C:H · Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t-value Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses
Tvj = 0°C ... Tvj max f = 50Hz Tc = 60°C. f = 50Hz
VRRM IFRMSM IFAVM IFSM I2t W max
4500 V 2600 A 1350 A 1700 A 28 kA
2 3,92 106 A s
TC = 85°C, f = 50Hz TC = 60°C, f = 50Hz Tvj = Tvj max, Tp = 10ms
Tvj = Tvj max, Tp = 10ms
IFM = 2500A, VCL = 2800V, clamp circuit L 0,25 µH, RCL = 68 CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max
5 MW
BIP AC / 2001-09-17, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 1331 SH 45T
SH
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Durchlaßrechenkennlinie 250 A iF 3200 A On-state characteristics for calculation
failure rate < 100 estimate value Tvj = Tvj max, iF = 2500A
VR(D) vF V(TO) rT
typ.
2800 V 4,2 V 1,8 V 0,96 m
max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
VF = A + B i F + C ln(i F + 1) + D i F
A B C D
Tvj = Tvj max, diF/dt = 5000A/µs IFM = 4000A Tvj = Tvj max, vR = VRRM
max. 1,39845 -1,3106 E-04 -0,240053 0,1006 typ. 280 V 150 mA max max 1500 A 3500 µAs 7,0 W s typ. 1,6
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage Sperrstrom reverse current Rückstromspitze peak reverse recovery current
VFRM iR IRM
IFM = 2500A, VCL = 2800V,
Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltverlust Energie turn-off energy Abklingsanftheit reverse recovery softness factor
clamp circuit L 0,25 µH, RCL = 68 CCL = 3µF, DCL = 34DSH65 Tvj = Tvj max
Qr Eo f f
IFM = 2500A, VR = 2800V -dirr /dt(i=0) = 1000A/µs, dt = 200ns Tvj = Tvj max ,
FRRS
FRRS =
(dirr / dt )i =0 (dirf / dt ) max
BIP AC / 2001-09-17, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page 2
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 1331 SH 45T
SH
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode /cathode, DC Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single sided
RthJC
max max max
0,0075 °C/W 0,014 °C/W 0,016 °C/W 0,0025 °C/W 0,005 °C/W 140 °C 0...+140 °C -40...+150 °C
Übergangs-W ärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK
max max
Tvj max Tc op Ts t g
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si - Element mit Druckkontakt Si - pellet with pressure contact Anpreßkraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke air distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 3 76DSH45 F G
typ
36...52 kN 1200 g 33 mm 17 mm C 50 m/s2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
BIP AC / 2001-09-17, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page 3
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 1331 SH 45T
Maßbild / Outline drawing
SH
BIP AC / 2001-09-17, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page 4
Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode
D 1331 SH 45T
SH
Durchlaßkennlinie / On-state characteristics iF = f ( V F )
upper limit of scatter range
3500
3000
2500
typ Tvj = 140°C 2000
max. Tvj = 140°C
1500
1000
500
0 0 1 2 VF [V] 3 4 5
BIP AC / 2001-09-17, Schneider / Keller
Release 4.1
Seite/page 5
Others parts begin by d1
|
|
|
